IRL40SC209, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 478 А, 600 мкОм, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRL40SC209
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| другие названия товара № | SP001568434 |
| factory pack quantity | 800 |
| fall time | 138 ns |
| forward transconductance - min | 244 S |
| id - continuous drain current | 478 A |
| id - непрерывный ток утечки | 478 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 244 S |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| manufacturer | Infineon |
| maximum operating temperature | +175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | D2PAK-7 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | SP001568434 |
| pd - power dissipation | 375 W |
| pd - рассеивание мощности | 375 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| qg - gate charge | 267 nC |
| qg - заряд затвора | 267 nC |
| размер фабричной упаковки | 800 |
| rds on - drain-source resistance | 600 uOhms |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 600 uOhms |
| rise time | 182 ns |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 63 ns |
| типичное время задержки выключения | 182 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| tradename | StrongIRFET |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| typical turn-off delay time | 182 ns |
| typical turn-on delay time | 63 ns |
| упаковка / блок | D2PAK-7 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 40 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| вес, г | 2.27 |
| vgs - gate-source voltage | 20 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 1 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 182 ns |
| время спада | 138 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26