Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Channel 60V Power МОП-транзистор
Основные
вес, г
1.438
вид монтажа
SMD/SMT
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 175 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
1000
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay / Siliconix
упаковка
Reel, Cut Tape
упаковка / блок
TO-263-3
серия
IRFZ
длина
10.67 mm
время нарастания
250 ns
время спада
250 ns
pd - рассеивание мощности
190 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
50 A
qg - заряд затвора
110 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
18 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
vgs - напряжение затвор-исток
10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
канальный режим
Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
27 S
полярность транзистора
N-Channel
тип транзистора
1 N-Channel
типичное время задержки выключения
210 ns
типичное время задержки при включении
8.1 ns
Высота
4.83 мм
Ширина
9.65 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26