IRFZ44ZLPBF, Trans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFZ44ZLPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH Si 55V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| base product number | IRFZ44 -> |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 51A (Tc) |
| длина | 10.2 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 55V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 43nC @ 10V |
| Высота | 9.45 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 51 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1420pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| lead shape | Through Hole |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| material | Si |
| maximum continuous drain current (a) | 51 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 13.9 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 55 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation (mw) | 80000 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Through Hole |
| mounting type | Through Hole |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
| packaging | Tube |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| pd - рассеивание мощности | 80 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 80W (Tc) |
| ppap | No |
| process technology | HEXFET |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 29 nC |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 13.9mOhm @ 31A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 13.9 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HEXFETВ® -> |
| standard package name | I2PAK |
| supplier device package | TO-262 |
| supplier package | TO-262 |
| tab | Tab |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon / IR |
| typical fall time (ns) | 41 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 29 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 29 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1420 25V |
| typical rise time (ns) | 68 |
| typical turn-off delay time (ns) | 33 |
| typical turn-on delay time (ns) | 14 |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-262-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 4.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26