IRFZ14PBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор
| Основные | |
| вес, г | 6 |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | IRFZ |
| время нарастания | 50 ns |
| время спада | 19 ns |
| pin count | 3 |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 43 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| ppap | No |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220AB |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 43000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| tab | Tab |
| id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| qg - заряд затвора | 11 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 2.4 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 13 ns |
| типичное время задержки при включении | 10 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 10 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 200 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 60 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| typical fall time (ns) | 19 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 11(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 11(Max)10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 300 25V |
| typical rise time (ns) | 50 |
| typical turn-off delay time (ns) | 13 |
| typical turn-on delay time (ns) | 10 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор КТ933Б \PNP\0,8\КТЮ- 3-6\[2Т933Б]\; №2Т транз КТ933Б \PNP\0,8\КТЮ- 3-6\[2Т933Б]\](/wa-data/public/shop/products/52/24/292452/images/337179/337179.300x0.jpg "Транзистор КТ933Б \PNP\0,8\КТЮ- 3-6\[2Т933Б]\; №2Т транз КТ933Б \PNP\0,8\КТЮ- 3-6\[2Т933Б]\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
