IRFU9210PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 200 В 1,9 A (Tc) 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-251AA
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
560
+
Бонус: 11.2 !
Бонусная программа
Итого: 560
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleP-канал 200 В 1,9 A (Tc) 2,5 Вт (Ta), 25 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-251AA
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFU
supplier device packageTO-251AA
длина6.73 mm
base product numberIRFU9 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.9A (Tc)
drain to source voltage (vdss)200V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs8.9nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds170pF @ 25V
power dissipation (max)2.5W (Ta), 25W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3Ohm @ 1.1A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Высота 6.22 мм
Ширина2.39 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль