IRFU9024NPBF, Trans MOSFET P-CH Si 55V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFU9024NPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор MOSFT P-Ch -55V -11A 175mOhm 12.7nC
| Вес и габариты | |
| base product number | IRFU9024 -> |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 11A |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 11A (Tc) |
| длина | 6.73 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 55V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| другие названия товара № | SP001557756 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | P-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 19nC @ 10V |
| Высота | 6.22 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 350pF @ 25V |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| pd - рассеивание мощности | 38 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| power dissipation (max) | 38W (Tc) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 38W |
| qg - заряд затвора | 12.7 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 175mО© @ 6.6A,10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 175mOhm @ 6.6A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 175 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HEXFETВ® -> |
| supplier device package | IPAK (TO-251) |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| transistor polarity | P Channel |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-251-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 55V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 2.38 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26