- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор TRENCH 40
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки
87 A
Pd - рассеивание мощности
140 W
Qg - заряд затвора
126 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
75 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.1 V
Вид монтажа
Through Hole
Высота
6.22 mm
Длина
6.73 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
StrongIRFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-251-3
Ширина
2.38 mm
Техническая документация
Datasheet IRFU7740PBF
pdf, 579 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»Типы корпусов импортных
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки
87 A
Pd - рассеивание мощности
140 W
Qg - заряд затвора
126 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
75 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.1 V
Вид монтажа
Through Hole
Высота
6.22 mm
Длина
6.73 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
StrongIRFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-251-3
Ширина
2.38 mm
Техническая документация
Datasheet IRFU7740PBF
pdf, 579 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»Типы корпусов импортных
Отзывов нет