IRFU7740PBF, Trans MOSFET N-CH Si 75V 87A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFU7740PBF
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор TRENCH 40 Технические параметры Id - непрерывный ток утечки 87 A Pd - рассеивание мощности 140 W Qg - заряд затвора 126 nC Rds Вкл - сопротивление сток-исток 7.2 mOhms Vds - напряжение пробоя сток-исток 75 V Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.1 V Вид монтажа Through Hole Высота 6.22 mm Длина 6.73 mm Канальный режим Enhancement Категория продукта МОП-транзистор Количество...
Вес и габариты
длина6.73 mm
Высота 6.22 мм
id - непрерывный ток утечки87 A
97
+
Бонус: 1.94 !
Бонусная программа
Итого: 97
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор TRENCH 40

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки
87 A
Pd - рассеивание мощности
140 W
Qg - заряд затвора
126 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
7.2 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
75 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.1 V
Вид монтажа
Through Hole
Высота
6.22 mm
Длина
6.73 mm
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
StrongIRFET
Конфигурация
Single
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
3000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Торговая марка
Infineon / IR
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-251-3
Ширина
2.38 mm

Техническая документация


Datasheet IRFU7740PBF
pdf, 579 КБ


Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»Типы корпусов импортных
Вес и габариты
длина6.73 mm
Высота 6.22 мм
id - непрерывный ток утечки87 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеStrongIRFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности140 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора126 nC
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток7.2 mOhms
технологияSi
тип продуктаMOSFET
торговая маркаInfineon / IR
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
vds - напряжение пробоя сток-исток75 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
вид монтажаThrough Hole
Ширина2.38 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль