Name: IRFU5305PBF, Транзистор P-МОП, полевой, 55В 28А [I-PAK]
Brand: Infineon
SKU: IRFU5305PBF

IRFU5305PBF, Транзистор P-МОП, полевой, 55В 28А [I-PAK]

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 40 до 55 В, Infineon Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает устройства с P-каналом в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Подробное описание

Основные
Производитель	Infineon
Вес и габариты
automotive	No
base product number	IRFU5305 ->

Все характеристики

230 ₽

– +

Бонус: 4.6 !

Бонусная программа

Итого: 230 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Основные
Производитель	Infineon
Вес и габариты
automotive	No
base product number	IRFU5305 ->
channel mode	Enhancement
channel type	P
число контактов	3
configuration	Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c	31A (Tc)
длина	6.6мм
drain to source voltage (vdss)	55V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
eccn	EAR99
eccn (us)	EAR99
eu rohs	Compliant with Exemption
fet type	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	63nC @ 10V
Высота	6.1 мм
htsus	8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки	31 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds	1200pF @ 25V
канальный режим	Enhancement
категория	Мощный МОП-транзистор
категория продукта	МОП-транзистор
количество элементов на ис	1
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	8 S
lead shape	Through Hole
максимальная рабочая температура	+175 °C
максимальное напряжение сток-исток	55 В
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности	110 Вт
максимальное сопротивление сток-исток	65 мΩ
максимальный непрерывный ток стока	31 A
material	Si
материал транзистора	SI
maximum continuous drain current (a)	31
maximum diode forward voltage (v)	1.3
maximum drain source resistance (mohm)	65 10V
maximum drain source voltage (v)	55
maximum gate source leakage current (na)	100
maximum gate source voltage (v)	±20
maximum gate threshold voltage	4V
maximum gate threshold voltage (v)	4
maximum idss (ua)	25
maximum junction ambient thermal resistance on pcb (°c/w)	50
maximum operating temperature (°c)	175
maximum positive gate source voltage (v)	20
maximum power dissipation (mw)	110000
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a)	110
минимальная рабочая температура	-55 °C
minimum gate threshold voltage	2V
minimum gate threshold voltage (v)	2
minimum operating temperature (°c)	-55
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting	Through Hole
mounting type	Through Hole
номер канала	Поднятие
number of elements per chip	1
operating junction temperature (°c)	-55 to 175
operating temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
packaging	Tube
part status	Active
pcb changed	3
pd - рассеивание мощности	110 W
pin count	3
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	P-Channel
power dissipation (max)	110W (Tc)
ppap	No
process technology	HEXFET
product category	Power MOSFET
qg - заряд затвора	42 nC
размеры	6.6 x 2.3 x 6.1мм
размер фабричной упаковки	3000
rds on (max) @ id, vgs	65mOhm @ 16A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток	65 mOhms
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
series	HEXFETВ® ->
серия	HEXFET
standard package name	TO-251
supplier device package	IPAK (TO-251)
supplier package	IPAK
tab	Tab
technology	MOSFET (Metal Oxide)
технология	Si
типичная входная емкость при vds	1200 pF@ 25 V
типичное время задержки при включении	14 ns
типичное время задержки включения	14 ns
типичное время задержки выключения	39 нс
типичный заряд затвора при vgs	63 nC @ 10 V
тип канала	P
тип корпуса	IPAK (TO-251)
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 P-Channel
торговая марка	Infineon / IR
transistor configuration	Одинарный
typical fall time (ns)	63
typical gate charge @ 10v (nc)	63(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)	63(Max)10V
typical gate plateau voltage (v)	5.9
typical gate to drain charge (nc)	29(Max)
typical gate to source charge (nc)	13(Max)
typical input capacitance @ vds (pf)	1200 25V
typical output capacitance (pf)	520
typical reverse recovery charge (nc)	170
typical reverse recovery time (ns)	71
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf)	250 25V
typical rise time (ns)	66
typical turn-off delay time (ns)	39
typical turn-on delay time (ns)	14
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-251-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	55 V
вес, г	0.71
vgs (max)	В±20V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	66 ns
время спада	63 ns
Ширина	2.3 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки