Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

170 ₽

– +

Бонус: 3.4 !

Бонусная программа

Итого: 170 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Основные
Производитель	Infineon
Вес и габариты
число контактов	3
длина	6.73мм
Высота	6.22 мм
категория	Мощный МОП-транзистор
количество элементов на ис	1
максимальная рабочая температура	+175 °C
максимальное напряжение сток-исток	100 В
максимальное напряжение затвор-исток	-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности	79 Вт
максимальное сопротивление сток-исток	115 mΩ
максимальный непрерывный ток стока	16 A
материал транзистора	SI
maximum gate threshold voltage	4V
минимальная рабочая температура	-55 °C
minimum gate threshold voltage	2V
номер канала	Поднятие
размеры	6.73 x 2.39 x 6.22мм
серия	HEXFET
типичная входная емкость при vds	640 пФ при 25 В
типичное время задержки включения	6,4 нс
типичное время задержки выключения	37 нс
типичный заряд затвора при vgs	44 нКл при 10 В
тип канала	N
тип корпуса	IPAK (TO-251)
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
transistor configuration	Одинарный
вес, г	0.2
Ширина	2.39 мм

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IRFU3910PBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 16 А, 0.115 Ом, TO-251AA, Through Hole