IRFU220PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-251, инфо: Транзистор полевой N-канальный 200В 4.8А 42ВтМОП-транзистор 200V N-CH HEXFET I-PAK
Основные
вес, г0.7
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
52
+
Бонус: 1.04 !
Бонусная программа
Итого: 52
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-251, инфо: Транзистор полевой N-канальный 200В 4.8А 42ВтМОП-транзистор 200V N-CH HEXFET I-PAK
Основные
вес, г0.7
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки75
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
серияIRFR/U
pd - рассеивание мощности2.5 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки4.8 A
qg - заряд затвора14 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток800 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль