IRFU220NPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 5А, 43Вт, IPAK
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFU220NPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
Вес и габариты | |
continuous drain current (id) @ 25в°c | 5A |
длина | 6.73 mm |
другие названия товара № | SP001567710 |
Высота | 6.22 мм |
id - непрерывный ток утечки | 5 A |
канальный режим | Enhancement |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single |
крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 2.6 S |
максимальная рабочая температура | + 175 C |
минимальная рабочая температура | 55 C |
pd - рассеивание мощности | 43 W |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | N-Channel |
power dissipation-max (ta=25в°c) | 43W |
qg - заряд затвора | 15 nC |
размер фабричной упаковки | 3000 |
rds on - drain-source resistance | 600mО© @ 2.9A,10V |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
технология | Si |
типичное время задержки при включении | 6.4 ns |
типичное время задержки выключения | 20 ns |
тип продукта | MOSFET |
тип транзистора | 1 N-Channel |
торговая марка | Infineon Technologies |
transistor polarity | N Channel |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-251-3 |
vds - drain-source breakdown voltage | 200V |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
вес, г | 0.41 |
vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
вид монтажа | Through Hole |
время нарастания | 11 ns |
время спада | 12 ns |
Ширина | 2.38 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26