Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CH HEXFET I-PAK

Подробное описание

Основные
вес, г	0.33
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C

460 ₽

– +

Бонус: 9.2 !

Бонусная программа

Итого: 460 ₽

Купить

Основные
вес, г	0.33
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-251-3
серия	IRFU
длина	6.73 mm
pd - рассеивание мощности	42 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	7.7 A
qg - заряд затвора	16 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	270 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
Высота	6.22 мм
Ширина	2.39 мм

Отзывов нет

Кнопки