IRFU024PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор I-PAK
Основные
вес, г0.33
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
440
+
Бонус: 8.8 !
Бонусная программа
Итого: 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V N-CH HEXFET МОП-транзистор I-PAK
Основные
вес, г0.33
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки75
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-251-3
серияIRFR/U
длина6.73 mm
pd - рассеивание мощности2.5 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки14 A
qg - заряд затвора25 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток100 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Высота 6.22 мм
Ширина2.39 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль