IRFSL11N50APBF, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 11А, 190Вт, I2PAK

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFSL11N50APBF
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 500V N-CH HEXFET TO-26
Основные
вес, г1.57
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THTМОП-транзистор 500V N-CH HEXFET TO-26
Основные
вес, г1.57
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-262-3
серияIRFSL
длина10.67 mm
pd - рассеивание мощности190 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки11 A
qg - заряд затвора51 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Высота 9.65 мм
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль