Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыSP001571698

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0028Ом
количество выводов	3вывод(-ов)

Цена по запросу

– +

Бонус: 0 !

Бонусная программа

Итого: 0 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыSP001571698

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.0028Ом
количество выводов	3вывод(-ов)
линейка продукции	HEXFET
максимальная рабочая температура	175 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	75В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	183А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3.7В
power dissipation	290Вт
рассеиваемая мощность	290Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0028Ом
стиль корпуса транзистора	TO-263AB
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	1

Отзывов нет

Кнопки

IRFS7734TRLPBF, Силовой МОП-транзистор, StrongIRFET™, N Channel, 75 В, 183 А, 0.0028 Ом, TO-263AB, S