IRFS7434TRL7PP, Trans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IRFS7434TRL7PP
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH Si 40V 362A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Вес и габариты
automotive
No
channel mode
Enhancement
channel type
N
configuration
Single Quint Source
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant with Exemption
lead shape
Gull-wing
material
Si
maximum continuous drain current (a)
362
maximum drain source resistance (mohm)
1 10V
maximum drain source voltage (v)
40
maximum gate source leakage current (na)
100
maximum gate source voltage (v)
±20
maximum gate threshold voltage (v)
3.9
maximum idss (ua)
1
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation (mw)
245000
minimum operating temperature (°c)
-55
mounting
Surface Mount
number of elements per chip
1
packaging
Tape and Reel
part status
Active
pcb changed
6
pin count
7
ppap
No
process technology
HEXFET
product category
Power MOSFET
standard package name
TO-263
supplier package
D2PAK
tab
Tab
typical fall time (ns)
85
typical gate charge @ 10v (nc)
210
typical gate charge @ vgs (nc)
210 10V
typical input capacitance @ vds (pf)
10250 25V
typical rise time (ns)
125
typical turn-off delay time (ns)
107
typical turn-on delay time (ns)
32
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26