IRFRC20TRLPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 600V 2.0 Amp
Основные
вес, г1.438
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
540
+
Бонус: 10.8 !
Бонусная программа
Итого: 540
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 600V 2.0 Amp
Основные
вес, г1.438
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки3000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковка / блокTO-252-3
серияIRFR/U
длина6.73 mm
pin count3
packagingTape and Reel
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)150
mountingSurface Mount
part statusActive
pcb changed2
ppapNo
standard package nameTO-252
supplier packageDPAK
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)2500
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
channel typeN
tabTab
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)2
maximum drain source resistance (mohm)4400 10V
maximum drain source voltage (v)600
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)4
maximum idss (ua)100
typical fall time (ns)25
typical gate charge @ 10v (nc)18(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)18(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf)350 25V
typical rise time (ns)23
typical turn-off delay time (ns)30
typical turn-on delay time (ns)10
Высота 2.38 мм
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль