Вес и габариты | |
continuous drain current (id) @ 25в°c | 13A |
крутизна характеристики s,а/в | 3.2 |
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | -4 |
power dissipation-max (ta=25в°c) | 66W |
rds on - drain-source resistance | 205mО© @ 7.8A,10V |
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 205 |
температура, с | -55…+150 |
transistor polarity | P Channel |
vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
вес, г | 0.62 |
vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |