Name: IRFR5410TRPBF, Транзистор P-МОП, полевой, HEXFET, -100В, -13А, 66Вт, DPAK
SKU: IRFR5410TRPBF

Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c	13A
крутизна характеристики s,а/в	3.2
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	-4

230 ₽

– +

Бонус: 4.6 !

Бонусная программа

Итого: 230 ₽

Купить

Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c	13A
крутизна характеристики s,а/в	3.2
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	-4
power dissipation-max (ta=25в°c)	66W
rds on - drain-source resistance	205mО© @ 7.8A,10V
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом	205
температура, с	-55…+150
transistor polarity	P Channel
vds - drain-source breakdown voltage	100V
вес, г	0.62
vgs - gate-source voltage	4V @ 250uA

Отзывов нет

Кнопки