IRFR3806TRPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Производитель: Infineon Категория продукта: МОП-транзистор Технология: Si Вид монтажа: SMD/SMT Упаковка / блок: TO-252-3 Полярность транзистора: N-Channel Количество каналов: 1 Channel Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V Id - непрерывный ток утечки: 43 A Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 12.6 mOhms Vgs - напряжение затвор-исток: - 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 1.8 V Qg - заряд затвора: 22 nC Минимальная рабочая температура: - 55 C...
Корпус
continuous drain current (id) @ 25°c43A
id - непрерывный ток утечки:43 A
86
+
Бонус: 1.72 !
Бонусная программа
Итого: 86
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Производитель:
Infineon

Категория продукта:
МОП-транзистор

Технология:
Si

Вид монтажа:
SMD/SMT

Упаковка / блок:
TO-252-3

Полярность транзистора:
N-Channel

Количество каналов:
1 Channel

Vds - напряжение пробоя сток-исток:
60 V

Id - непрерывный ток утечки:
43 A

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:
12.6 mOhms

Vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
1.8 V

Qg - заряд затвора:
22 nC

Минимальная рабочая температура:
- 55 C

Максимальная рабочая температура:
+ 175 C

Pd - рассеивание мощности:
71 W

Канальный режим:
Enhancement

Упаковка:
Reel

Упаковка:
Cut Tape

Упаковка:
MouseReel

Торговая марка:
Infineon / IR

Конфигурация:
Single

Высота:
2.3 mm

Длина:
6.5 mm

Тип продукта:
MOSFET

Размер фабричной упаковки:
6000

Подкатегория:
MOSFETs

Тип транзистора:
1 N-Channel

Ширина:
6.22 mm

Другие названия товара №:
IRFR3806TRPBF SP001564890

Вес изделия:
330 mg
Корпус
continuous drain current (id) @ 25°c43A
id - непрерывный ток утечки:43 A
канальный режим:Enhancement
количество каналов:1 Channel
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт71 W
полярность транзистора:N-Channel
power dissipation-max (ta=25°c)71W
qg - заряд затвора:22 nC
рабочая температура:-55 c+175 c
rds on - drain-source resistance15.8mΩ 25A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток:12.6 mOhms
технология:Si
тип транзистора:1 N-Channel
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage60V
vds - напряжение пробоя сток-исток:60 V
вес, г0.61
vgs - gate-source voltage4V 50uA
vgs - напряжение затвор-исток:-20 V, +20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1.8 V
вид монтажа:SMD/SMT
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль