IRFR3709ZTRPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: D-Pak (TO-252AA), инфо: Транзистор полевой N-канальный 30В 86А 79ВтМОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c86A
длина6.5 mm
Высота 2.3 мм
45
+
Бонус: 0.9 !
Бонусная программа
Итого: 45
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: D-Pak (TO-252AA), инфо: Транзистор полевой N-канальный 30В 86А 79ВтМОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms 17nC
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c86A
длина6.5 mm
Высота 2.3 мм
id - непрерывный ток утечки86 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.51 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности79 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)79W
qg - заряд затвора17 nC
размер фабричной упаковки2000
rds on - drain-source resistance6.5mО© @ 15A,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток6.5 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения15 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon / IR
transistor polarityN Channel
упаковка / блокTO-252-3
vds - drain-source breakdown voltage30V
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.66
vgs - gate-source voltage2.25V @ 250uA
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.25 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания12 ns
время спада3.9 ns
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль