IRFR3709ZTRLPBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 30 В, 86 А, 0.0052 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mo

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFR3709ZTRLPBF
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыSP001556992
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина6.5 mm
drain source on state resistance0.0052Ом
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыSP001556992
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина6.5 mm
drain source on state resistance0.0052Ом
Высота 2.3 мм
id - непрерывный ток утечки86 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.51 S
линейка продукцииHEXFET
максимальная рабочая температура175 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока86А
pd - рассеивание мощности79 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs1.8В
power dissipation79Вт
qg - заряд затвора26 nC
рассеиваемая мощность79Вт
размер фабричной упаковки3000
rds вкл - сопротивление сток-исток6.5 mOhms
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0052Ом
стиль корпуса транзистораTO-252(DPAK)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon / IR
упаковка / блокTO-252-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г40.82
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.25 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания12 ns
время спада3.9 ns
Ширина6.22 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль