IRFR3410TRPBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 31A |
| длина | 6.5 mm |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| Высота | 2.3 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 31 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 33 S |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| maximum continuous drain current (a) | 31 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 39 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation (mw) | 3000 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 110 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 3W |
| ppap | No |
| process technology | HEXFET |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 37 nC |
| размер фабричной упаковки | 2000 |
| rds on - drain-source resistance | 39mО© @ 18A,10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 39 mOhms |
| standard package name | TO-252 |
| supplier package | DPAK |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 12 ns |
| типичное время задержки выключения | 40 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon / IR |
| transistor polarity | N Channel |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| typical fall time (ns) | 13 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 37 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 37 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1690 25V |
| typical rise time (ns) | 27 |
| typical turn-off delay time (ns) | 40 |
| typical turn-on delay time (ns) | 12 |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 100V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 27 ns |
| время спада | 13 ns |
| Ширина | 6.22 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26