Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Подробное описание

Основные
максимальная рабочая температура	150 C
количество выводов	3вывод(-ов)
Вес и габариты
channel type	N Channel

52 ₽

– +

Бонус: 1.04 !

Бонусная программа

Итого: 52 ₽

Купить

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Основные
максимальная рабочая температура	150 C
количество выводов	3вывод(-ов)
Вес и габариты
channel type	N Channel
рассеиваемая мощность	2.5Вт
power dissipation	2.5Вт
напряжение истока-стока vds	200В
полярность транзистора	N Канал
стиль корпуса транзистора	TO-252(DPAK)
непрерывный ток стока	4.8А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.8Ом
напряжение измерения rds(on)	10В
пороговое напряжение vgs	2В
монтаж транзистора	Surface Mount
drain source on state resistance	0.8Ом

Отзывов нет

Кнопки

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

Быстрый просмотр

IRFR220TRPBF, Trans MOSFET N-CH 200V 4.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R