IRFR220PBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 75, корпус: TO252, АБМОП-транзистор 200V N-CH HEXFET D-PAK
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| base product number | IRFR220 -> |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 4.8A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 200V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 14nC @ 10V |
| hts | 8541.10.00.80 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 260pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 1.7 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current (a) | 4.8 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 800@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 200 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 25 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2500 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| package height | 2.39(Max) |
| package length | 6.73(Max) |
| package width | 6.22(Max) |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 42 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 14 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 800mOhm @ 2.9A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 800 mOhms |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| серия | IRFR/U |
| standard package name | TO-252 |
| supplier device package | D-Pak |
| supplier package | DPAK |
| tab | Tab |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 7.2 ns |
| типичное время задержки выключения | 19 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| typical fall time (ns) | 13 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 14(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 14(Max)@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 260@25V |
| typical rise time (ns) | 22 |
| typical turn-off delay time (ns) | 19 |
| typical turn-on delay time (ns) | 7.2 |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| вес, г | 0.6 |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 22 ns |
| время спада | 13 ns |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26