Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
rds on - drain-source resistance	1.5О© @ 1.6A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	200V

300 ₽

- +

Бонус: 6 !

Бонусная программа

Итого: 300 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
rds on - drain-source resistance	1.5О© @ 1.6A,10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	200V
vgs - gate-source voltage	4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c	2.6A
power dissipation-max (ta=25в°c)	2.5W

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

IRFR210TRPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 200 В, 2.6 А, 1.5 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount