IRFR120NTRPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 9.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFR120NTRPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор 100V 1 N-CH HEXFET 210mOhms 16.7nC
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| Корпус | |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| диапазон рабочих температур | -55…+175 С |
| длина | 6.5 mm |
| другие названия товара № | SP001566944 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| Высота | 2.3 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 9.1 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики s,а/в | 2.7 |
| максимальная рабочая температура | + 175 C |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 4 |
| maximum continuous drain current (a) | 9.4 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 210 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation (mw) | 48000 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| мощность | рассеиваемая(Pd)-48 Вт |
| mounting | Surface Mount |
| msl(уровень чувствительности к влажности) | 1 |
| напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-2 В |
| number of elements per chip | 1 |
| описание | 100V, 9.4A N-Channel MOSFET |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 39 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| ppap | No |
| process technology | HEXFET |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 16.7 nC |
| размер фабричной упаковки | 2000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 210 mOhms |
| сопротивление | сток-исток открытого транзистора(Rds)-210 мОм |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 210 |
| способ монтажа | поверхностный(SMT) |
| standard package name | TO-252 |
| supplier package | DPAK |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| температура, с | -55…+175 |
| типичное время задержки при включении | 4.5 ns |
| типичное время задержки выключения | 32 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| typical fall time (ns) | 23 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 25(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 25(Max)10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 330 25V |
| typical rise time (ns) | 23 |
| typical turn-off delay time (ns) | 32 |
| typical turn-on delay time (ns) | 4.5 |
| упаковка | REEL, 2000 шт. |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время | задержки включения/выключения-4.5/32 нс |
| время нарастания | 23 ns |
| время спада | 23 ns |
| Ширина | 6.22 мм |
| заряд | затвора(Qg)-25 нКл |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26