IRFPF30PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 900V 3.6 Amp
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
1 470
+
Бонус: 29.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 470
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 900V 3.6 Amp
Основные
вес, г38
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFPF
supplier device packageTO-247-3
длина15.87 mm
base product numberIRFPF30 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c3.6A (Tc)
drain to source voltage (vdss)900V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs78nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds1200pF @ 25V
power dissipation (max)125W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3.7Ohm @ 2.2A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Высота 20.82 мм
Ширина5.31 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль