- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-247AC, инфо: Транзистор полевой N-канальный 400В 11АМОП-транзистор 400V N-CH HEXFET
Вес и габариты | |
automotive | No |
base product number | IRFP340 -> |
channel mode | Enhancement |
channel type | N |
configuration | Single |
current - continuous drain (id) @ 25в°c | 11A (Tc) |
длина | 15.87 mm |
drain to source voltage (vdss) | 400V |
drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
eccn | EAR99 |
eccn (us) | EAR99 |
eu rohs | Compliant |
fet type | N-Channel |
gate charge (qg) (max) @ vgs | 62nC @ 10V |
Высота | 20.82 мм |
hts | 8541.10.00.80 |
htsus | 8541.29.0095 |
id - непрерывный ток утечки | 11 A |
input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1400pF @ 25V |
канальный режим | Enhancement |
категория продукта | МОП-транзистор |
количество каналов | 1 Channel |
конфигурация | Single |
lead shape | Through Hole |
максимальная рабочая температура | + 150 C |
maximum continuous drain current (a) | 11 |
maximum diode forward voltage (v) | 2 |
maximum drain source resistance (mohm) | 550@10V |
maximum drain source voltage (v) | 400 |
maximum gate source leakage current (na) | 100 |
maximum gate source voltage (v) | ±20 |
maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
maximum idss (ua) | 25 |
maximum operating temperature (°c) | 150 |
maximum positive gate source voltage (v) | 20 |
maximum power dissipation (mw) | 150000 |
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a) | 44 |
military | No |
минимальная рабочая температура | 55 C |
minimum gate threshold voltage (v) | 2 |
minimum operating temperature (°c) | -55 |
moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
mounting | Through Hole |
mounting type | Through Hole |
number of elements per chip | 1 |
operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
package | Tube |
package / case | TO-247-3 |
package height | 20.7(Max) |
package length | 15.87(Max) |
package width | 5.21(Max) |
part status | Active |
pcb changed | 3 |
pd - рассеивание мощности | 150 W |
pin count | 3 |
подкатегория | MOSFETs |
полярность транзистора | N-Channel |
power dissipation (max) | 150W (Tc) |
product category | Power MOSFET |
qg - заряд затвора | 62 nC |
размер фабричной упаковки | 500 |
rds on (max) @ id, vgs | 550mOhm @ 6.6A, 10V |
rds вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
rohs status | ROHS3 Compliant |
серия | IRFP |
standard package name | TO-247 |
supplier device package | TO-247-3 |
supplier package | TO-247AC |
tab | Tab |
technology | MOSFET (Metal Oxide) |
технология | Si |
тип продукта | MOSFET |
торговая марка | Vishay Semiconductors |
typical fall time (ns) | 24 |
typical gate charge @ 10v (nc) | 62(Max) |
typical gate charge @ vgs (nc) | 62(Max)@10V |
typical gate plateau voltage (v) | 5.9 |
typical gate to drain charge (nc) | 30(Max) |
typical gate to source charge (nc) | 10(Max) |
typical input capacitance @ vds (pf) | 1400@25V |
typical output capacitance (pf) | 400 |
typical reverse recovery charge (nc) | 2500 |
typical reverse recovery time (ns) | 330 |
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf) | 130@25V |
typical rise time (ns) | 27 |
typical turn-off delay time (ns) | 50 |
typical turn-on delay time (ns) | 14 |
упаковка | Tube |
упаковка / блок | TO-247-3 |
vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
вес, г | 8.5 |
vgs (max) | В±20V |
vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
вид монтажа | Through Hole |
Ширина | 5.31 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26