IRFP340PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-247AC, инфо: Транзистор полевой N-канальный 400В 11АМОП-транзистор 400V N-CH HEXFET
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberIRFP340 ->
channel modeEnhancement
1 720
+
Бонус: 34.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 720
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-247AC, инфо: Транзистор полевой N-канальный 400В 11АМОП-транзистор 400V N-CH HEXFET
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberIRFP340 ->
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
current - continuous drain (id) @ 25в°c11A (Tc)
длина15.87 mm
drain to source voltage (vdss)400V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs62nC @ 10V
Высота 20.82 мм
hts8541.10.00.80
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки11 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds1400pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
lead shapeThrough Hole
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum continuous drain current (a)11
maximum diode forward voltage (v)2
maximum drain source resistance (mohm)550@10V
maximum drain source voltage (v)400
maximum gate source leakage current (na)100
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)4
maximum idss (ua)25
maximum operating temperature (°c)150
maximum positive gate source voltage (v)20
maximum power dissipation (mw)150000
maximum pulsed drain current @ tc=25°c (a)44
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum gate threshold voltage (v)2
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingThrough Hole
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
operating junction temperature (°c)-55 to 150
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
package height20.7(Max)
package length15.87(Max)
package width5.21(Max)
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности150 W
pin count3
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)150W (Tc)
product categoryPower MOSFET
qg - заряд затвора62 nC
размер фабричной упаковки500
rds on (max) @ id, vgs550mOhm @ 6.6A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток550 mOhms
rohs statusROHS3 Compliant
серияIRFP
standard package nameTO-247
supplier device packageTO-247-3
supplier packageTO-247AC
tabTab
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
typical fall time (ns)24
typical gate charge @ 10v (nc)62(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)62(Max)@10V
typical gate plateau voltage (v)5.9
typical gate to drain charge (nc)30(Max)
typical gate to source charge (nc)10(Max)
typical input capacitance @ vds (pf)1400@25V
typical output capacitance (pf)400
typical reverse recovery charge (nc)2500
typical reverse recovery time (ns)330
typical reverse transfer capacitance @ vds (pf)130@25V
typical rise time (ns)27
typical turn-off delay time (ns)50
typical turn-on delay time (ns)14
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
вес, г8.5
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
Ширина5.31 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль