IRFP250PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
1 310
+
Бонус: 26.2 !
Бонусная программа
Итого: 1 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
серияIRFP
длина15.87 mm
время нарастания86 ns
время спада62 ns
pd - рассеивание мощности190 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки30 A
qg - заряд затвора140 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.12 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения70 ns
типичное время задержки при включении16 ns
крутизна характеристики s,а/в17
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в4
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом75
температура, с-55…+175
Высота 20.82 мм
Ширина5.31 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль