Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор 500V N-CH HEXFET

Подробное описание

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C

350 ₽

– +

Бонус: 7 !

Бонусная программа

Итого: 350 ₽

Купить

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор 500V N-CH HEXFET

Основные
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	500
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-247-3
серия	IRFP
pd - рассеивание мощности	277 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	22 A
qg - заряд затвора	120 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	230 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel

Отзывов нет

Кнопки