IRFP21N60LPBF, Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFP21N60LPBF
МОП-транзистор 600V N-CH HEXFET
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
1 420
+
Бонус: 28.4 !
Бонусная программа
Итого: 1 420
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 600V N-CH HEXFET
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFP
supplier device packageTO-247-3
длина15.87 mm
pd - рассеивание мощности330 W
количество каналов1 Channel
base product numberIRFP21 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки21 A
qg - заряд затвора150 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток320 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c21A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs150nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds4000pF @ 25V
power dissipation (max)330W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs320mOhm @ 13A, 10V
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id5V @ 250ВµA
Высота 20.82 мм
Ширина5.31 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль