IRFL024NTRPBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор MOSFT 55V 4A 75mOhm 12.2nC
| Вес и габариты | |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 2.8A |
| длина | 6.5 mm |
| Высота | 1.6 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики s,а/в | 3 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 4 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| pd - рассеивание мощности | 2.1 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 1W |
| qg - заряд затвора | 18.3 nC |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| rds on - drain-source resistance | 75mО© @ 2.8A,10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 75 |
| технология | Si |
| температура, с | -55…+150 |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon / IR |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка / блок | SOT-223-4 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 55V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| vgs - gate-source voltage | 4V @ 250uA |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.8 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 3.5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26