IRFIBE30GPBF, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 2.1 А, 3 Ом, TO-220FP, Through Hole
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IRFIBE30GPBF
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор N-Chan 800V 2.1 Amp
Основные
вес, г
0.454
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
mounting type
Through Hole
operating temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package
Tube
package / case
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs status
ROHS3 Compliant
категория продукта
МОП-транзистор
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
50
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay / Siliconix
упаковка
Tube
eccn
EAR99
htsus
8541.29.0095
серия
IRFIBE
supplier device package
TO-220-3
base product number
IRFIBE30 ->
Вес и габариты
технология
Si
technology
MOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c
2.1A (Tc)
drain to source voltage (vdss)
800V
drive voltage (max rds on, min rds on)
10V
fet type
N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs
78nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds
1300pF @ 25V
power dissipation (max)
35W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1.3A, 10V
vgs (max)
В±20V
vgs(th) (max) @ id
4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26