IRFIB7N50APBF, транзистор N канал 500В 6.6А TO220FP
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFIB7N50APBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
транзисторы полевые импортныеМОП-транзистор N-Chan 500V 6.6 Amp
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | IRFIB |
| supplier device package | TO-220-3 |
| длина | 10.41 mm |
| pin count | 3 |
| product category | Power MOSFET |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| ppap | No |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220FP |
| base product number | IRFIB7 -> |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 60000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| tab | Tab |
| Структура | n-канал |
| максимальное напряжение сток-исток uси,в | 500 |
| максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а | 6.6 |
| максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт | 60 |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 6.6 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 520 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 500 |
| maximum gate source voltage (v) | ±30 |
| typical fall time (ns) | 28 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 52(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 52(Max)10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1423 25V |
| typical rise time (ns) | 35 |
| typical turn-off delay time (ns) | 32 |
| typical turn-on delay time (ns) | 14 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 6.6A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 500V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 52nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1423pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 60W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 520mOhm @ 4A, 10V |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| крутизна характеристики s,а/в | 6.1 |
| максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в | 4 |
| сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом | 520 |
| температура, с | -55…+150 |
| Корпус | |
| Высота | 15.49 мм |
| Ширина | 4.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор КТ639А \PNP\1\TO-126\; транз КТ639А \PNP\1\TO-126\](/wa-data/public/shop/products/34/18/291834/images/336293/336293.300x0.jpg "Транзистор КТ639А \PNP\1\TO-126\; транз КТ639А \PNP\1\TO-126\")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
