IRFI9530GPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220F, инфо: Транзистор полевой P-канальный 100В 7.7AМОП-транзистор P-Chan 100V 7.7 Amp
Основные
вес, г2.96
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
95
+
Бонус: 1.9 !
Бонусная программа
Итого: 95
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220F, инфо: Транзистор полевой P-канальный 100В 7.7AМОП-транзистор P-Chan 100V 7.7 Amp
Основные
вес, г2.96
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFI
supplier device packageTO-220-3
длина10.41 mm
base product numberIRFI9530 ->
Вес и габариты
технологияSi
technologyMOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c7.7A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs38nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds860pF @ 25V
power dissipation (max)42W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs300mOhm @ 4.6A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Высота 15.49 мм
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль