IRFI740GPBF
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220F, инфо: Транзистор полевой N-канальный 400В 5.4А 40Вт, 0.55 ОмМОП-транзистор N-Chan 400V 5.4 Amp
| Основные | |
| вес, г | 2.91 |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 50 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| серия | IRFI |
| время нарастания | 25 ns |
| время спада | 24 ns |
| pin count | 3 |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 40 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 3 |
| ppap | No |
| standard package name | TO-220 |
| supplier package | TO-220FP |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 40000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| tab | Tab |
| id - непрерывный ток утечки | 5.4 A |
| qg - заряд затвора | 66 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 400 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 3.6 S |
| полярность транзистора | N-Channel |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| типичное время задержки выключения | 54 ns |
| типичное время задержки при включении | 14 ns |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 5.4 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 550 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 400 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| typical fall time (ns) | 24 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 66(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 66(Max)10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1370 25V |
| typical rise time (ns) | 25 |
| typical turn-off delay time (ns) | 54 |
| typical turn-on delay time (ns) | 14 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![Транзистор КТ208Г \PNP\0,2\КТ-1- 17\[2Т208Г]\Au\](/wa-data/public/shop/products/66/88/188866/images/224555/224555.300x0.jpg "Транзистор КТ208Г \PNP\0,2\КТ-1- 17\[2Т208Г]\Au\")
![STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223]](/wa-data/public/shop/products/23/10/201023/images/234660/234660.300x0.jpg "STN4NF20L, Транзистор, MOSFET N-CH 200В 1А [SOT-223]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
