IRFI510GPBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CH HEXFET
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
590
+
Бонус: 11.8 !
Бонусная программа
Итого: 590
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CH HEXFET
Основные
вес, г6
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки50
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay Semiconductors
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFI
supplier device packageTO-220-3
длина10.41 mm
время нарастания16 ns
время спада9.4 ns
pin count3
product categoryPower MOSFET
pd - рассеивание мощности27 W
количество каналов1 Channel
automotiveNo
eu rohsCompliant
lead shapeThrough Hole
maximum operating temperature (°c)175
mountingThrough Hole
part statusActive
pcb changed3
standard package nameTO-220
supplier packageTO-220FP
base product numberIRFI510 ->
eccn (us)EAR99
maximum power dissipation (mw)27000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
hts8541.29.00.95
package height16.12(Max)
package length10.63(Max)
package width4.83(Max)
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
конфигурацияSingle
channel typeN
technologyMOSFET (Metal Oxide)
tabTab
id - непрерывный ток утечки4.5 A
qg - заряд затвора8.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток540 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.1.2 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения15 ns
типичное время задержки при включении6.9 ns
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)4.5
maximum drain source resistance (mohm)540@10V
maximum drain source voltage (v)100
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)9.4
typical gate charge @ 10v (nc)8.3(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)8.3(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf)180@25V
typical rise time (ns)16
typical turn-off delay time (ns)15
typical turn-on delay time (ns)6.9
current - continuous drain (id) @ 25в°c4.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs8.3nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds180pF @ 25V
power dissipation (max)27W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs540mOhm @ 2.7A, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
militaryNo
Высота 15.49 мм
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль