IRFI1310NPBF, Trans MOSFET N-CH 100V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFI1310NPBF
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFETМОП-транзистор MOSFT 100V 22A 36mOhm 80nC
| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Вес и габариты | |
| base product number | IRFI1310 -> |
| число контактов | 3 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 24A (Tc) |
| длина | 10.75мм |
| drain to source voltage (vdss) | 100V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| другие названия товара № | SP001566772 |
| eccn | EAR99 |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 120nC @ 10V |
| Высота | 9.8 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1900pF @ 25V |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| максимальная рабочая температура | +175 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное рассеяние мощности | 56 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 36 мΩ |
| максимальный непрерывный ток стока | 24 А |
| материал транзистора | SI |
| maximum gate threshold voltage | 4V |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum gate threshold voltage | 2V |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| номер канала | Поднятие |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-220-3 Full Pack |
| pd - рассеивание мощности | 45 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 56W (Tc) |
| qg - заряд затвора | 80 nC |
| размеры | 10.75 x 4.83 x 9.8мм |
| размер фабричной упаковки | 2000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 36mOhm @ 13A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 36 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HEXFETВ® -> |
| серия | HEXFET |
| supplier device package | TO-220AB Full-Pak |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичная входная емкость при vds | 1900 пФ при 25 В |
| типичное время задержки включения | 11 ns |
| типичное время задержки выключения | 45 ns |
| типичный заряд затвора при vgs | 120 нКл при 10 В |
| тип канала | N |
| тип корпуса | TO-220 |
| тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| transistor configuration | Одинарный |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| вид монтажа | Through Hole |
| Ширина | 4.83 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26