IRFDC20PBF, IRFDC20PBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 0.32A 4-Pin HVMDIP - Arrow.com

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFDC20PBF
МОП-транзистор 600V N-CH HEXFET HEXDI
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
480
+
Бонус: 9.6 !
Бонусная программа
Итого: 480
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 600V N-CH HEXFET HEXDI
Основные
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / case4-DIP (0.300"", 7.62mm)
rohs statusROHS3 Compliant
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокDIP-4
eccnEAR99
htsus8541.29.0095
серияIRFDC
supplier device package4-DIP, Hexdip, HVMDIP
pd - рассеивание мощности1 W
количество каналов1 Channel
base product numberIRFDC20 ->
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
technologyMOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки320 mA
qg - заряд затвора18 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток4.4 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c320mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs18nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds350pF @ 25V
power dissipation (max)1W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs4.4Ohm @ 190mA, 10V
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль