IRFD220PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 200В, 0.8А [HVMDIP]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFD220PBF
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET HEXDI
Основные
вес, г0.6
Вес и габариты
Структураn-канал
максимальное напряжение сток-исток uси,в200
150
+
Бонус: 3 !
Бонусная программа
Итого: 150
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 200V N-CH HEXFET HEXDI
Основные
вес, г0.6
Вес и габариты
Структураn-канал
максимальное напряжение сток-исток uси,в200
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а0.8
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в20
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)0.8 Ом/0.48А, 10В
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт1
крутизна характеристики, s1.1
пороговое напряжение на затворе4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль