IRFD210
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзисторМОП-транзистор 200V N-CH HEXFET HEXDI
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Through Hole |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | 4-DIP (0.300"", 7.62mm) |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | Through Hole |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 2500 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay / Siliconix |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | HVMDIP-4 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | IRFD |
| supplier device package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| pin count | 4 |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 1 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant |
| lead shape | Through Hole |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Through Hole |
| part status | Active |
| pcb changed | 4 |
| standard package name | DIP |
| supplier package | HVMDIP |
| base product number | IRFD210 -> |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 1000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single Dual Drain |
| hts | 8541.10.00.80 |
| package height | 3.37(Max) |
| package length | 5(Max) |
| package width | 6.29(Max) |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
| qg - заряд затвора | 8.2 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 0.6 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 1500@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 200 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| typical fall time (ns) | 8.9 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 8.2(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 8.2(Max)@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 140@25V |
| typical rise time (ns) | 17 |
| typical turn-off delay time (ns) | 14 |
| typical turn-on delay time (ns) | 8.2 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 600mA (Ta) |
| drain to source voltage (vdss) | 200V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 8.2nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 140pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 1W (Ta) |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.5Ohm @ 360mA, 10V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| military | No |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![IRF7842PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А [SO-8]](/wa-data/public/shop/products/73/24/192473/images/227092/227092.300x0.jpg "IRF7842PBF, Транзистор, N-канал 40В 18А [SO-8]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
