IRFD113PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
Основные
вес, г7.152
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
460
+
Бонус: 9.2 !
Бонусная программа
Итого: 460
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
Основные
вес, г7.152
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаBulk
упаковка / блокHVMDIP-4
серияIRFD
pd - рассеивание мощности1 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки800 mA
qg - заряд затвора7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток800 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль