IRFD113PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFD113PBF
МОП-транзистор 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
190
+
Бонус: 3.8 !
Бонусная программа
Итого: 190
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
Основные
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаBulk
упаковка / блокHVMDIP-4
серияIRFD
pd - рассеивание мощности1 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
конфигурацияSingle
id - непрерывный ток утечки800 mA
qg - заряд затвора7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток800 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
полярность транзистораN-Channel
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль