IRFD113PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 0.8A 4-Pin HVMDIP
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:IRFD113PBF
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 60V 800mOhm@10V 0.8A N-Ch
Основные
вид монтажа
Through Hole
категория продукта
МОП-транзистор
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
подкатегория
MOSFETs
размер фабричной упаковки
2500
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Vishay / Siliconix
упаковка
Bulk
упаковка / блок
HVMDIP-4
серия
IRFD
pd - рассеивание мощности
1 W
количество каналов
1 Channel
Вес и габариты
технология
Si
конфигурация
Single
id - непрерывный ток утечки
800 mA
qg - заряд затвора
7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток
800 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
канальный режим
Enhancement
полярность транзистора
N-Channel
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26