IRFD110PBF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CH HEXFET HEXDI
VISHAY
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY
Основные
вес, г0.3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CH HEXFET HEXDI
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY
Основные
вес, г0.3
вид монтажаThrough Hole
категория продуктаМОП-транзистор
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки2500
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокHVMDIP-4
серияIRFD
длина6.29 mm
время нарастания16 ns
время спада9.4 ns
тип корпусаHVMDIP
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов4
размеры5 x 6.29 x 3.37мм
pd - рассеивание мощности1.3 W
количество каналов1 Channel
Вес и габариты
технологияSi
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности1,3 Вт
конфигурацияSingle
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
id - непрерывный ток утечки1 A
qg - заряд затвора8.3 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток540 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
канальный режимEnhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.0.8 S
полярность транзистораN-Channel
тип транзистора1 N-Channel
типичное время задержки выключения15 ns
типичное время задержки при включении6.9 ns
максимальное сопротивление сток-исток540 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное напряжение сток-исток100 В
типичный заряд затвора при vgs8.3 nC @ 10 V
номер каналаПоднятие
максимальный непрерывный ток стока1 А
материал транзистораSI
типичное время задержки включения6.9 ns
minimum gate threshold voltage2V
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds180 pF @ 25 V
rds on - drain-source resistance540mО© @ 600mA,10V
transistor polarityN Channel
vds - drain-source breakdown voltage100V
vgs - gate-source voltage4V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c1A
power dissipation-max (ta=25в°c)1.3W
Высота 3.37 мм
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль