IRFD110PBF, Транзистор, MOSFET, N-канал, 100В, 1А [HVMDIP]

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFD110PBF
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Основные
вес, г0.6
Вес и габариты
Структураn-канал
максимальное напряжение сток-исток uси,в100
79
+
Бонус: 1.58 !
Бонусная программа
Итого: 79
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальный МОП-транзистор, от 100 до 150 В, Vishay Semiconductor
Основные
вес, г0.6
Вес и габариты
Структураn-канал
максимальное напряжение сток-исток uси,в100
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а1
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в20
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)0.54 Ом/0.6А, 10В
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт1.3
крутизна характеристики, s0.8
пороговое напряжение на затворе4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль