Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Информация о производителе
Производитель
VISHAY
Основные
вес, г
1.99
максимальная рабочая температура
+150 °C
минимальная рабочая температура
-55 °C
длина
10.41мм
тип корпуса
TO-220AB
тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
число контактов
3
размеры
10.41 x 4.7 x 9.01мм
Вес и габариты
количество элементов на ис
1
максимальное рассеяние мощности
54 W
тип канала
N
transistor configuration
Одинарный
типичное время задержки выключения
58 нс
максимальное сопротивление сток-исток
11 Ω
максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
максимальное напряжение сток-исток
1000 V
типичный заряд затвора при vgs
38 нКл при 10 В
номер канала
Поднятие
максимальный непрерывный ток стока
1,4 A
материал транзистора
SI
типичное время задержки включения
9.4 ns
minimum gate threshold voltage
2V
категория
Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds
500 пФ при 25 В
Высота
9.01 мм
Ширина
4.7 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26