IRFBG20PBF, Транзистор N-МОП, полевой, 1000В 1,4A 54Вт TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: IRFBG20PBF
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
VISHAY
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY
Основные
вес, г1.99
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
220
+
Бонус: 4.4 !
Бонусная программа
Итого: 220
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N THT N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Информация о производителе
ПроизводительVISHAY
Основные
вес, г1.99
максимальная рабочая температура+150 °C
минимальная рабочая температура-55 °C
длина10.41мм
тип корпусаTO-220AB
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
число контактов3
размеры10.41 x 4.7 x 9.01мм
Вес и габариты
количество элементов на ис1
максимальное рассеяние мощности54 W
тип каналаN
transistor configurationОдинарный
типичное время задержки выключения58 нс
максимальное сопротивление сток-исток11 Ω
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное напряжение сток-исток1000 V
типичный заряд затвора при vgs38 нКл при 10 В
номер каналаПоднятие
максимальный непрерывный ток стока1,4 A
материал транзистораSI
типичное время задержки включения9.4 ns
minimum gate threshold voltage2V
категорияМощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds500 пФ при 25 В
Высота 9.01 мм
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль