- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Информация о производителе | |
Производитель | VISHAY |
Основные | |
максимальная рабочая температура | +150 °C |
минимальная рабочая температура | -55 °C |
длина | 10.41мм |
тип корпуса | TO-220AB |
тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
число контактов | 3 |
размеры | 10.41 x 4.7 x 9.01мм |
Вес и габариты | |
количество элементов на ис | 1 |
максимальное рассеяние мощности | 54 W |
тип канала | N |
transistor configuration | Одинарный |
типичное время задержки выключения | 58 нс |
максимальное сопротивление сток-исток | 11 Ω |
максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
максимальное напряжение сток-исток | 1000 V |
типичный заряд затвора при vgs | 38 нКл при 10 В |
номер канала | Поднятие |
максимальный непрерывный ток стока | 1,4 A |
материал транзистора | SI |
типичное время задержки включения | 9.4 ns |
minimum gate threshold voltage | 2V |
категория | Мощный МОП-транзистор |
типичная входная емкость при vds | 500 пФ при 25 В |
Высота | 9.01 мм |
Ширина | 4.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26