IRFBE30S

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 800V 4.1 Amp
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзисторМОП-транзистор N-Chan 800V 4.1 Amp
Основные
вид монтажаSMD/SMT
категория продуктаМОП-транзистор
подкатегорияMOSFETs
размер фабричной упаковки1000
тип продуктаMOSFET
торговая маркаVishay / Siliconix
упаковкаTube
упаковка / блокTO-263-3
серияIRFBE
длина10.67 mm
pin count3
product categoryPower MOSFET
automotiveNo
eu rohsCompliant with Exemption
maximum operating temperature (°c)150
mountingsurface mount
part statusactive
pcb changed2
standard package nameTO-263
supplier packageD2PAK
eccn (us)ear99
maximum power dissipation (mw)125000
minimum operating temperature (°c)-55
configurationSingle
hts8542.39.00.01
package height4.83(Max)
package length10.41(Max)
package width9.65(Max)
Вес и габариты
технологияSi
number of elements per chip1
channel typeN
tabTab
channel modeEnhancement
maximum continuous drain current (a)4.1
maximum drain source resistance (mohm)3000@10V
maximum drain source voltage (v)800
maximum gate source voltage (v)±20
typical fall time (ns)30
typical gate charge @ 10v (nc)78(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)78(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf)1300@25V
typical rise time (ns)33
typical turn-off delay time (ns)82
typical turn-on delay time (ns)12
militaryNo
Высота 4.83 мм
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль