IRFBC40AS
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-Chan 600V 6.2 Amp
| Основные | |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| подкатегория | MOSFETs |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| тип продукта | MOSFET |
| торговая марка | Vishay Semiconductors |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-263-3 |
| eccn | EAR99 |
| htsus | 8541.29.0095 |
| серия | IRFBC |
| supplier device package | D2PAK |
| длина | 10.67 mm |
| pin count | 3 |
| product category | Power MOSFET |
| pd - рассеивание мощности | 125 W |
| количество каналов | 1 Channel |
| automotive | No |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| mounting | Surface Mount |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| ppap | No |
| standard package name | TO-263 |
| supplier package | D2PAK |
| base product number | IRFBC40 -> |
| eccn (us) | EAR99 |
| maximum power dissipation (mw) | 125000 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| configuration | Single |
| Вес и габариты | |
| технология | Si |
| number of elements per chip | 1 |
| конфигурация | Single |
| channel type | N |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| tab | Tab |
| id - непрерывный ток утечки | 6.2 A |
| qg - заряд затвора | 42 nC |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 1.2 Ohms |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| канальный режим | Enhancement |
| полярность транзистора | N-Channel |
| channel mode | Enhancement |
| maximum continuous drain current (a) | 6.2 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 1200 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 600 |
| maximum gate source voltage (v) | ±30 |
| typical fall time (ns) | 18 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 42(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 42(Max)10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1036 25V |
| typical rise time (ns) | 23 |
| typical turn-off delay time (ns) | 31 |
| typical turn-on delay time (ns) | 13 |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 6.2A (Tc) |
| drain to source voltage (vdss) | 600V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 42nC @ 10V |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 1036pF @ 25V |
| power dissipation (max) | 125W (Tc) |
| rds on (max) @ id, vgs | 1.2Ohm @ 3.7A, 10V |
| vgs (max) | В±30V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| Высота | 4.83 мм |
| Ширина | 9.65 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]](/wa-data/public/shop/products/34/17/211734/images/243267/243267.300x0.jpg "NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]")
![KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]](/wa-data/public/shop/products/33/37/123733/images/155187/155187.300x0.jpg "KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP]")
